對(duì)于濕法和干法刻蝕兩種工藝，EL2002CN有圖形的光刻膠層是受青睞的刻蝕阻擋層：，在濕法刻蝕中，對(duì)于光刻膠層幾乎沒(méi)有來(lái)自刻蝕劑的刻蝕。然而在干法刻蝕中，殘余的氧氣會(huì)刻蝕光刻肢層。光刻膠層必須保持足夠厚以應(yīng)付刻蝕劑的刻蝕而不至于變薄出現(xiàn)空洞。有些結(jié)構(gòu)使用淀積層作為刻蝕阻擋層來(lái)避免光刻膠層的損失（見(jiàn)第10章）。

   另一個(gè)與光刻膠相關(guān)的干法刻蝕問(wèn)題是光刻膠烘焙。在于法刻蝕反應(yīng)室內(nèi)，溫度町以升高到200℃，一定的溫度可以把光刻膠烘焙至一個(gè)難以從晶圓去除的狀態(tài)。再一個(gè)和溫度相關(guān)的問(wèn)題是光刻膠的流動(dòng)傾向使圖形畸變。

   等離子體刻蝕中一個(gè)不希望的影響是側(cè)壁聚合物( sidewall polymer)淀積在刻蝕圖形的側(cè)壁，聚合物來(lái)自光刻膠。在接下來(lái)的氧氣等離子體光刻膠去除工序中，聚合物沉積可變成金屬氧化物18而難以去掉。