無金屬表面的濕法去除
發(fā)布時(shí)間:2015/11/2 21:07:46 訪問次數(shù):959
硫酸和氧化劑溶液:EL2028CSZ硫酸和氧化劑溶液(過氧化氫或過硫酸銨22)是最常用的去除無金屬表面( nonmetallic surfaces)光刻膠層的去除劑。無金屬表面是二氧化硅、氮化硅或多晶硅。,這種溶液可去除負(fù)光刻膠和正光刻膠.,相同的化學(xué)溶液和工藝用于在第7章描述的預(yù)爐管清洗晶圓中。
硝酸有時(shí)作為在硫酸清洗池中的添加氧化劑。典型的混合比為10:1。硝酸有一個(gè)缺點(diǎn)是會把清洗池變成淡橘黃色而遮蓋住池中碳的積累。所有這些溶液都以氧化機(jī)理來溶解光刻膠。
有金屬表面的濕法化學(xué)擊除
從有金屬表面去除光刻膠是一個(gè)比較困難的工作,因?yàn)榻饘贂艿角治g或氧化。有4種類型的液體化學(xué)品用于去除有金屬表面的光刻膠:
1.有機(jī)去除劑。
2.溶劑去除劑。
3.溶劑/胺去除劑。
4.特殊去除劑。
酚有機(jī)去除劑:有機(jī)去除劑包含磺酸(有機(jī)酸)和氯化碳?xì)淙軇┑慕M合,例如duodexabenzene。配方要求苯酚形成可沖洗的溶液。在20世紀(jì)70年代,由于對這些配方中有毒成分的擔(dān)心而導(dǎo)致了磺酸、非酚的、非氯化的i馴去除劑的開發(fā)。去除光刻膠要求將溶液加熱到900C—120。C的范圍。丁藝中常使用2個(gè)或3個(gè)加熱的去除池。清洗以兩步進(jìn)行,第一步是溶劑,然后用水清洗,其后是干燥工序。
硫酸和氧化劑溶液:EL2028CSZ硫酸和氧化劑溶液(過氧化氫或過硫酸銨22)是最常用的去除無金屬表面( nonmetallic surfaces)光刻膠層的去除劑。無金屬表面是二氧化硅、氮化硅或多晶硅。,這種溶液可去除負(fù)光刻膠和正光刻膠.,相同的化學(xué)溶液和工藝用于在第7章描述的預(yù)爐管清洗晶圓中。
硝酸有時(shí)作為在硫酸清洗池中的添加氧化劑。典型的混合比為10:1。硝酸有一個(gè)缺點(diǎn)是會把清洗池變成淡橘黃色而遮蓋住池中碳的積累。所有這些溶液都以氧化機(jī)理來溶解光刻膠。
有金屬表面的濕法化學(xué)擊除
從有金屬表面去除光刻膠是一個(gè)比較困難的工作,因?yàn)榻饘贂艿角治g或氧化。有4種類型的液體化學(xué)品用于去除有金屬表面的光刻膠:
1.有機(jī)去除劑。
2.溶劑去除劑。
3.溶劑/胺去除劑。
4.特殊去除劑。
酚有機(jī)去除劑:有機(jī)去除劑包含磺酸(有機(jī)酸)和氯化碳?xì)淙軇┑慕M合,例如duodexabenzene。配方要求苯酚形成可沖洗的溶液。在20世紀(jì)70年代,由于對這些配方中有毒成分的擔(dān)心而導(dǎo)致了磺酸、非酚的、非氯化的i馴去除劑的開發(fā)。去除光刻膠要求將溶液加熱到900C—120。C的范圍。丁藝中常使用2個(gè)或3個(gè)加熱的去除池。清洗以兩步進(jìn)行,第一步是溶劑,然后用水清洗,其后是干燥工序。
熱門點(diǎn)擊
- 雙大馬士革工藝
- 步進(jìn)式光刻機(jī)
- 離子束刻蝕
- 眩光的產(chǎn)生分直射和反射兩種
- 管、盒跨接地線
- 電力電纜接頭的布置應(yīng)符合下列要求
- 干氧氧化( dryox)
- 隧道照明LED工程設(shè)計(jì)實(shí)例2
- 半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)之一
- 選擇性是等離子體刻蝕工藝的一個(gè)主要的考慮事項(xiàng)
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析,DS... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究