擴(kuò)散加強(qiáng)硅烷他光刻膠( DESIRE)工藝是一種新穎的表面圖形化工藝方法。23| i（見圖10. 29）。AD846AR與其他的多層光刻膠工藝類似，DESIRE也是平整晶圓表面，在表層形成圖形。DESIRF工藝使用標(biāo)準(zhǔn)的紫外線曝光表面層。在這一工藝中，曝光只局限于頂層。然后，將晶圓放入反應(yīng)腔（見8.8.2節(jié)）2‘中暴露于HMDS，發(fā)生硅烷化反應(yīng)(silylation process)。通過這一步，硅混入曝光區(qū)域。富硅區(qū)域變成了硬掩膜，可以用各向異性RIE刻蝕使其下面的材料干法顯影和去除（見第9章）。在刻蝕工藝中，硅烷化區(qū)域變成二氧化硅( Si0，)，形成了更堅(jiān)固的刻蝕阻擋層。這種只在最t：-層定義圖形的技術(shù)稱為卜^表面成像（Top Surface Image，TSI）。