講述的平坦化方法都是局部平坦化而不足晶圓整體表面平坦化( global  planarization)。ADS7846N小尺寸圖形由于光散射的影響還是很難做出來(lái)的。而且由于還存在表面臺(tái)階，就還存在臺(tái)階處金屬覆蓋不好的問題�；瘜W(xué)機(jī)械拋光( CMP)不僅在晶圓制備階段被用（見第3章），而且在晶圓加工f藝過程中也用來(lái)做晶圓表面整體平坦化。

   化學(xué)機(jī)械拋光之所以受歡迎是因?yàn)榫哂腥缦绿攸c(diǎn)-引：

   ·可以達(dá)到晶圓表面整體平坦化

   ·研磨去除所有表面材料

   ·適用于多種材料的表面

   ·使高質(zhì)量的大馬士革工藝和銅金屬層成為可能

   ·避免使用有毒氣體

   ·是一種低成本工藝

   晶圓拋光和平坦化使用相同的基本工藝。然而，挑戰(zhàn)非常不同。在晶圓拋光時(shí)，幾微米的硅被去除。，在平坦化工藝中，要求化學(xué)機(jī)械拋光去除材料的量在1 um或更少。還有，這些金屬工藝出現(xiàn)幾種要被去除的材料。它們有不同的去除速率和高的均勻平坦化的期望。這些問題將在第13章講述。