除上述提及的介質(zhì)外，有幾種為特HIN232ECB殊應(yīng)用的其他類型的淀積。它們分成廣泛的高k和低k介質(zhì)、第2章描述f電容器的基礎(chǔ)�；仡櫼幌�，一個材料的k值稱為介電常數(shù)( dielectric，nstant)  它與電容器的電容量相關(guān)。高后材料制造具有更高存儲電荷容量的電器。它們也已經(jīng)被結(jié)合進MOS器件作為柵介質(zhì)（疊層?xùn)牛�。ALD和MOCVD淀積系統(tǒng)適合于這種應(yīng)用，因為它們具有高水平的厚度控制321。高k介質(zhì)的用途將在第16章討論。

   低k材料用在金屬化系統(tǒng)，作為晶圓表面和主要金屬系統(tǒng)間的阻擋層。在這種情況下，電容器的功能應(yīng)該是低k介質(zhì)以便于信號傳導(dǎo)。這些低k材料將在第13章討論。

   傳統(tǒng)的鋁和鋁合金的金屬導(dǎo)體采用蒸發(fā)或濺射的方法進行淀積。硅柵MOS晶體管出現(xiàn)，使增加摻雜的多晶硅作為一種器件的導(dǎo)體。，再加上，多層金屬結(jié)構(gòu)和新導(dǎo)電材料的出現(xiàn)，將CVD和PVD技術(shù)延伸到導(dǎo)電金屬領(lǐng)域。在T一章中，將介紹這些金屬淀積的技術(shù)和應(yīng)用。

   學(xué)習完本章后，你應(yīng)該能夠：

   1．指出CVD反應(yīng)室的組成。

   2．描述化學(xué)氣相淀積的原理。

   3．列出由CVD技術(shù)淀積的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣材料。

   4．了解常壓CVD、LPCVD、熱壁系統(tǒng)和冷壁系統(tǒng)的區(qū)別。

   5．解釋外延層和多晶硅層之間的區(qū)別。