離子注入的一個重要優(yōu)點是多種類型的掩膜都可以有效地阻止離子束流。AD7010JRS對于擴散工藝，唯一有效的掩膜是二氧化硅。半導體工藝所用的大多數(shù)薄膜都可用來阻止束流，包括光刻膠、二氧化硅、氮化硅、鋁及其他金屬薄膜。圖11. 29比較了阻礙200 keV的不同雜質(zhì)源注入所需的掩膜厚度。

   使用光刻膠薄膜而不是刻蝕開的氧化層作為掩膜，提供了與剝離( lift-off)工藝相同的尺寸控制優(yōu)勢，取消了刻餓步驟以及它所引入的變化。使用光刻膠還能使生產(chǎn)效率更高。作為二氧化硅的替代物，將晶圓要經(jīng)過的加熱步驟減到最少，從而提高了整體良品率。