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剝離工藝

發(fā)布時(shí)間:2015/11/4 22:15:57 訪問(wèn)次數(shù):1499

   在表面層中的圖形尺寸最終是由曝光和刻蝕工藝共同決定的。在工藝中,ADS7868IDBVT鉆蝕(光刻膠支撐)的地方是個(gè)問(wèn)題,例如鋁刻蝕,尺寸變化的刻蝕成分可能是決定性的因素。

   一種可以消除刻蝕變差的方法稱為剝離工藝(見(jiàn)圖10. 38)。在這一工藝中,晶圓經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程,在需要淀積圖形的地方留下孔隙。通過(guò)調(diào)整曝光工藝和顯影工藝,使孔隙側(cè)壁產(chǎn)生負(fù)斜面。

   

    接著,在晶圓表面進(jìn)行淀積,淀積物覆蓋整個(gè)晶圓表面并進(jìn)入孔隙中,,然后,將晶圓表面光刻膠除去,光刻膠會(huì)連帶將覆蓋其上的淀積物一并去除,這樣就只留下了孔隙中的淀積物,即所需的圖形。通常去除步驟會(huì)伴隨超聲波激勵(lì),這樣有助于在光刻膠邊緣的淀積膜形成清晰的斷裂界線。光刻膠和淀積膜去除后,在晶圓表面留下了希望的圖形。

   在表面層中的圖形尺寸最終是由曝光和刻蝕工藝共同決定的。在工藝中,ADS7868IDBVT鉆蝕(光刻膠支撐)的地方是個(gè)問(wèn)題,例如鋁刻蝕,尺寸變化的刻蝕成分可能是決定性的因素。

   一種可以消除刻蝕變差的方法稱為剝離工藝(見(jiàn)圖10. 38)。在這一工藝中,晶圓經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程,在需要淀積圖形的地方留下孔隙。通過(guò)調(diào)整曝光工藝和顯影工藝,使孔隙側(cè)壁產(chǎn)生負(fù)斜面。

   

    接著,在晶圓表面進(jìn)行淀積,淀積物覆蓋整個(gè)晶圓表面并進(jìn)入孔隙中,,然后,將晶圓表面光刻膠除去,光刻膠會(huì)連帶將覆蓋其上的淀積物一并去除,這樣就只留下了孔隙中的淀積物,即所需的圖形。通常去除步驟會(huì)伴隨超聲波激勵(lì),這樣有助于在光刻膠邊緣的淀積膜形成清晰的斷裂界線。光刻膠和淀積膜去除后,在晶圓表面留下了希望的圖形。

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11-4剝離工藝

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