基本化學機械拋光工藝步驟：晶圓被固定在面朝下的磨頭上，依次地，ADS7852Y晶圓也面朝下固定在旋轉(zhuǎn)機臺上。旋轉(zhuǎn)機臺表面用一個拋光墊覆蓋。帶有小研磨顆粒的磨料漿( slurry)流到臺面上。晶圓表面物質(zhì)被磨料顆粒侵襲，并一點點磨去，再被磨料漿沖走。由于兩個軌道的輳動，以及磨料漿的共同作用使晶圓表面拋光。表面高處首先被拋光，接著是低的地方，這樣就達到r平坦化的目的。這些是機械拋光作用。然而，只有機械拋光自身是無法滿足半導體工藝對晶圓的要求的，因為晶圓表面受到了過多的機械損傷。通過對磨料漿的選取，可以減少這種損傷，因為磨料漿中的化學物質(zhì)可以溶解或刻蝕一些表面物質(zhì)�；瘜W侵蝕一般是通過氧化作用將表面腐蝕掉的．、與之相似的是熨斗的生銹機理，它就是一種化學侵蝕。當熨斗接觸氧氣時，它的表面會長l^一層銹。然而正是這層銹將熨斗表面與水中或空氣中的氧氣隔離開，從而減緩了進一步生銹的過程，這就是化學與機械共同作用的結(jié)果。磨粉磨去腐蝕層而露出新鮮表面，新鮮表面與化學物質(zhì)反應生成新的腐蝕層，這樣不斷反復。在化學機械拋光之后，有一步化學機械拋光后清洗( post CMP cleaning)以保證晶圓的潔凈。

   線性化學機械拋光系統(tǒng)還在使用。在這種配置中，晶圓載片頭是相對運動的皮帶轉(zhuǎn)不是轉(zhuǎn)盤。線性系統(tǒng)的一個主要優(yōu)點是在晶圓下磨料漿運動速度增加。

   衡量化學機械拋光處理的幾項主要指標是：

   ·表面平整度

   ·表面機械條件

   ·表面化學性質(zhì)

   ·表面潔凈度

   ·生產(chǎn)率