過(guò)刻蝕會(huì)使兩個(gè)結(jié)構(gòu)的距離比預(yù)想的近。而工芝制成中，不可避免地存在過(guò)刻蝕，ADS7869IPZTR所以各個(gè)結(jié)構(gòu)的對(duì)準(zhǔn)變得至關(guān)重要，、一種解決辦法就是自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)( self-aligned  structure)，比如MOS器件的柵極（見(jiàn)第16章）。定義柵極的同時(shí)也定義了源極或漏極（見(jiàn)圖10. 39）。打開(kāi)源、漏區(qū)域是簡(jiǎn)單的刻蝕去除氧化物的過(guò)程，源或漏區(qū)域薄的氧化層保證r柵極上的氧化層不會(huì)被刻蝕光。接下來(lái)的離子注入將離子注入在柵極附近源區(qū)或漏區(qū)。使用不同的氧

化層厚度和浸沒(méi)式刻蝕的這種基本技術(shù)可以定義或刻蝕其他結(jié)構(gòu)。該設(shè)計(jì)使用柵極作為注入阻擋層。