擴(kuò)散工藝摻雜后的晶圓中雜質(zhì)的檢查，顯示了摻雜區(qū)和結(jié)的形成。初始時(shí)的情況顯示在圖11.3中。ADS7881IPFBT顯示的晶圓來(lái)自P型晶體。圖中的“+”號(hào)代表單晶生長(zhǎng)過(guò)程中引進(jìn)的P型雜質(zhì)。它們均勻地分布在整片晶圓中。

   晶圓經(jīng)過(guò)熱氧化及圖形化工藝后，氧化層上面會(huì)留出孔洞。在擴(kuò)散爐管里，晶圓在高溫條件下暴露于一定濃度的N型雜質(zhì)中（見(jiàn)圖11.4中的“一”號(hào)）。N型雜質(zhì)透過(guò)氧化層上的孔洞擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部。

   圖11,3準(zhǔn)備擴(kuò)散的P型晶圓    圖11.4擴(kuò)散工藝的開(kāi)始

   對(duì)晶圓不同深度處發(fā)生的變化的檢查結(jié)果說(shuō)明了摻雜在晶圓內(nèi)部引起的變化。擴(kuò)散爐管中的條件設(shè)置使得擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部的N型雜質(zhì)原子數(shù)量高于第一層中P型原子的數(shù)量。在此演示中，N型原子比P型原子多7個(gè)，從而使其從P型轉(zhuǎn)換為N型導(dǎo)電層。