對于終端抽真空，優(yōu)選是低AD7010ARS 溫泵。在工藝過程中產(chǎn)生的沾污有來自晶圓除氣的氮?dú)夂蛠碜?/span>光刻膠掩蔽層氫氣。低溫泵（見第13章）是捕獲型的，并保持氫氣這一潛在危險(xiǎn)凍結(jié)在泵中。

   機(jī)械運(yùn)動(dòng)可能比離子注入本身的時(shí)間更長。改進(jìn)包括裝卸片鎖，使得裝載晶圓時(shí)無須破壞靶室的真空。一個(gè)大的挑戰(zhàn)是在如此多的機(jī)械運(yùn)動(dòng)下保證靶室內(nèi)的低微粒數(shù)13。靶室內(nèi)防靜電器件的安裝是關(guān)鍵。靜電機(jī)械手（沒有機(jī)械夾具）是一種選擇16]。

   晶片破碎時(shí)的碎片和粉塵會造成污染，需要非常耗時(shí)的清潔工作。晶圓袁面的污染造成陰影效應(yīng)，阻礙粒子束流入射。必須保持生產(chǎn)速度，必須可以快速實(shí)現(xiàn)真空以開始注入，同

時(shí)快速恢復(fù)到常壓以卸片。靶室可能裝有探測器（法拉第杯）以計(jì)數(shù)注入晶圓表面的離子數(shù)。這套監(jiān)測系統(tǒng)使工藝自動(dòng)化，允許離子束接觸晶圓，達(dá)到正確的劑量。

   高束流注入可能造成晶圓升溫，這些機(jī)器設(shè)備通常在晶圓固定裝置上有冷卻機(jī)構(gòu)。這些機(jī)器設(shè)備還裝有泛流電子槍( electron flood gun)（見圖11. 28），泛流電子槍被設(shè)計(jì)為使電荷積累最小化，電荷積累會導(dǎo)致吸附沾染物。