在水平系統(tǒng)中，對更大直徑的晶圓水平式放置，其裝載密度低，AD7549KP并且更大的晶圓托架也會限制淀積的均勻性。桶式輻射加熱系統(tǒng)（見圖12. 13）解決廠這些問題。該系統(tǒng)的反應(yīng)室是一種柱狀的不銹鋼桶，在內(nèi)部表面放置了高密度的石英加熱器。晶圓被放置在石墨的支架上．j該支架向桶的中心方向旋轉(zhuǎn)。與水平系統(tǒng)相比，旋轉(zhuǎn)后的晶圓可以有更均勻的薄膜厚度。

   來自燈泡的熱能輻射到晶圓表面，淀積在晶圓表面發(fā)生。雖然反應(yīng)室的壁被部分加熱，但是該系統(tǒng)接近于冷壁系統(tǒng)。直接的熱輻射產(chǎn)生控制良好和生長均勻的薄膜。在熱傳輸系統(tǒng)中，晶圓的加熱從底部開始，當(dāng)薄膜生長時，晶圓的表面有一些微小

但呵測量的溫度下降。在桶式系統(tǒng)中，晶圓的表面總是面對著光源，這樣可獲取均勻的溫度和薄膜生長速率，

   1987年，應(yīng)用材料( Applied Material)公詞引入了一種大的桶式系統(tǒng)，應(yīng)用于更大直徑的晶圓，該系統(tǒng)具有熱感應(yīng)系統(tǒng)的特點引1，該桶式反應(yīng)室的主要優(yōu)勢在于通過每個周期增加晶圓數(shù)，提高廠生產(chǎn)效率。該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用在900cC～l250℃范圍內(nèi)的外延淀積。