低溫淀積可以將晶格的損傷降至最小，并且降低的熱預(yù)算反過來又將摻雜區(qū)域的橫向擴(kuò)散降至最小、GE28F320W18BD60方法之一就是在極低的真率條件F，進(jìn)行硅和硅鍺（SiGe）的化學(xué)氣相淀積。降低壓力能夠允許保持淀積溫度處于低水平。超高真空CVD( UHV-CVD)反應(yīng)在反應(yīng)爐內(nèi)發(fā)生，起始時(shí)，其內(nèi)部壓力可降至1～5 x10'9毫巴(mbar)，淀積壓力在10一毫巴的數(shù)量級7．

   增強(qiáng)型等離子體CVD

   氮化硅取代氧化硅作為鈍化層，促進(jìn)了增強(qiáng)型等離子體( PECVD)技術(shù)的發(fā)展。二氧化硅的淀積溫度接近于660C。這樣的溫度可能會(huì)導(dǎo)致鋁合金與硅表面的相互連接。這是人們所不能接受的（見第13章）。解決該問題的方法之一就是采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量。增強(qiáng)的能量允許在最高450℃的條件下，在鋁層七進(jìn)行淀積。從物理上講，增強(qiáng)的等離子系統(tǒng)類似于等離子體刻蝕。它們都具有在低壓下作的平行板反應(yīng)室，由射頻引入的輝光放電，或其他等離子體源（見第9章），用于在淀積氣體內(nèi)產(chǎn)生等離子體。低壓與低溫的結(jié)合提供了良好的薄膜均勻性和生產(chǎn)能力。

   PECVD反應(yīng)室還具有在淀積前利用等離子體對晶圓進(jìn)行刻蝕和清洗的功能。該過程與在第9章描述的干法刻蝕相類似。這種原位置處的清洗預(yù)備出淀積前的晶圓表面，清除r在裝載過程中產(chǎn)生的污染。