水平垂直流PECVD:該系統(tǒng)遵儋了底部餅式加熱，垂直流CVD設(shè)計(jì)（見圖12.19）。GE28F640W18BD80通過由電極板或其他等離子體射頻，在反應(yīng)室頂部形成等離子體。安裝在晶圓托架下面的輻射加熱器加熱晶圓，形成冷壁淀積系統(tǒng)。用PECVD系統(tǒng)，除了標(biāo)準(zhǔn)的LPCVD反應(yīng)室中的參數(shù)外，還要對其他幾個(gè)重要參數(shù)進(jìn)行控制。這些參數(shù)是射頻功率密度、射頻頻率和周期占空比。總之，薄膜淀積的速度提高了，但必須有效控制和防止薄膜應(yīng)力和／或裂紋。

   由諾發(fā)( Novellus)公司開發(fā)的另一種設(shè)計(jì)讓晶圓固定在一系列電阻絲加熱的承片架上。這些晶圓在具有薄膜建立的反應(yīng)腔周圍按指針增加。

   單片反應(yīng)室PECVD系統(tǒng)（見圖12. 20）的反應(yīng)室較小，并且其余的晶圓暴露在特定的條件下，所以更需要有效的控制。通常，單片統(tǒng)處理速度慢于批處理系統(tǒng)。與大反應(yīng)室批處理設(shè)備相比，片反應(yīng)系統(tǒng)的生產(chǎn)效率的差異來源于晶圓快速進(jìn)入反應(yīng)室的方法和如何對真空的快速提升和釋放。裝載系統(tǒng)采用將晶圓放入預(yù)反應(yīng)室，抽真空到預(yù)定的壓力，然后將晶圓移送到淀積反應(yīng)室的方式，增加生產(chǎn)效率。