對(duì)于薄膜淀積系統(tǒng)，始終追求的是對(duì)淀積率的控制、低淀積溫度和可控的薄膜化學(xué)計(jì)量。 GL816E隨著這些問題變得越來越重要，分子束外延( MBE)技術(shù)已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室中脫穎而出，進(jìn)入生產(chǎn)研制階段。MBE是一種蒸發(fā)工藝，優(yōu)于CVD工藝。該系統(tǒng)由壓力維掎10一o托的淀積反應(yīng)室組成（見圖12. 25）。反應(yīng)室內(nèi)是一個(gè)或多個(gè)單元（稱為射流單元，effusion cell），其中含有晶圓}j所需材料的高純度樣品。單元E的快r J把晶圓暴露在源材料前，電子束挖直接撞擊-在材料的中心，將其加熱成液體。液態(tài)下，原子從材料中蒸發(fā)出來，從單元的開口中溢出，淀積在晶圓的表面上。如果材料源是氣態(tài)的，此技術(shù)稱為氣態(tài)源( gas source)MBE或GSMBE。在許多應(yīng)用當(dāng)中，將晶圓在反應(yīng)室內(nèi)加熱，以對(duì)到達(dá)的原子提供附加的能量。附加的能量加速了外延的生長(zhǎng)，并形成質(zhì)量良好的薄膜。

   對(duì)于暴露的晶圓表面，淀積原子將以晶圓的定向生長(zhǎng)外延層。MBE提供了極佳的選擇，通過反應(yīng)室的摻雜源內(nèi)所含有

的物質(zhì)，形成原位摻雜。常規(guī)的硅摻雜源在MBE系統(tǒng)中并不適用。固態(tài)的鎵用于P型摻雜，銻用于N型摻雜。實(shí)際上，使用MBE系統(tǒng)淀積磷的可能性也不大。   

   對(duì)硅工藝來講，MBE系統(tǒng)的主要優(yōu)點(diǎn)在于低溫(400℃~800C)，這樣可將自動(dòng)摻雜和外溢擴(kuò)散減小到最低�；蛟S，MBE最大的優(yōu)勢(shì)是具有一個(gè)工藝步驟（一次抽真空）就可以在晶圓表面上形成多個(gè)層的能力。這樣的選擇霈要在反應(yīng)室內(nèi)安裝幾個(gè)射流單元和序列化的快門裝置，按照正確的順序和準(zhǔn)確的時(shí)間將蒸發(fā)束引導(dǎo)到晶圓表面。