CMOS外延：到20世紀70年代后期，外延膜的主要應用是作為雙極型晶體管的集電極，HCPL-0721該技術為器件工作和靈活的隔離相鄰器件提供了高質量的襯底（見第16章）。，較新的或更主要的應用是用于CMOS電路的晶圓。CMOS電路中存在稱為“閂鎖”(latch-up)效應的問題，該問題提出了對外延層的需要（見第16章）。解決方案是在p+襯底f二做一層P型外延。

   外延工藝：典型的外延工藝開始前，對晶圓表面進行徹底、嚴格地清洗，然后將晶圓裝入淀積反應室內。在淀積反應室肉，通過一系列步驟來保證正確的淀積薄膜。圖12.35給出了一個典型的SiCI。的外延工藝。起始的步驟是：對晶圓表面進行氣相清洗。清洗之后進行淀積，并伴隨著循環(huán)的清洗冷卻。在所有的步驟中溫度和氣體的流量是工藝控制的關鍵.

   圖12. 35  典型的SiCl。外延淀積工藝

   選擇性外延硅：外延淀積系統(tǒng)的先進性引發(fā)了外延膜的選擇性生長。盡管用于雙極型晶體管和CMOS襯底的外延膜淀積在整個晶圓上，但在選擇性生長中，它們是通過二氧化硅或氮化硅膜進行生長的。晶圓被放置在反應室內，外延膜直接生長在暴露孔底部的硅上（見圖12. 36）。薄膜生長時，它會與晶圓表面下晶體形成定向。這種結構的優(yōu)點是在外延區(qū)域形成的器件由氧化物或氮化物相互隔離。