向相關(guān)的晶圓生長問題是圖形偏移(pattern shift)，當(dāng)?shù)矸e速率太高并且薄膜在生長時相對于晶圓表面存在角度時，就會發(fā)生圖形偏移。 HCPL-0720當(dāng)依賴于薄膜表面臺階的位置與襯底的圖形對準時，圖形偏移就成了問題（見圖12. 32）。另一個生長中的主要問題是滑移( slip)�；苼碓从趯Φ矸e參數(shù)的控制不當(dāng)，并將導(dǎo)致晶格沿分界面方向滑移(slippage)（見圖12. 33），

   有兩個問題與淀積溫度相關(guān)，自動摻雜( autodoping)和外溢擴散。當(dāng)晶圓背面的摻雜原子從晶圓中擴散出去時，與反應(yīng)氣體混合后融合到生長的薄膜內(nèi)，導(dǎo)致生長膜的自動摻雜（見圖12. 34），從而引起薄膜的電阻率和電導(dǎo)率的變化。在N型晶圓上生長的P型薄膜中的自動摻雜將比預(yù)想的P型中的要低一些。P型濃度較低，是因為自動摻雜的原子中和r一砦薄膜內(nèi)的P型原子。

   外溢擴散( out-diffusion)有著同樣的影響，但其發(fā)生在外延膜和晶圓的交接面。外溢擴散的原子來源于外延淀積前擴散到晶圓內(nèi)的摻雜源。在雙極型器件內(nèi)，該區(qū)域稱為埋層( buriedlayer)或次集電極(subcollector)。通常，埋層是在P型晶圓內(nèi)的N型區(qū)，上面是生長的N型外延層．、在淀積過程中，N型原子擴散出來與外延膜的底部結(jié)合，使?jié)舛劝l(fā)生變化。極端情況下，埋層可能擴散出來，進入雙極型器件的結(jié)構(gòu)內(nèi)，引起電性能失效。