向相關(guān)的晶圓生長(zhǎng)問題是圖形偏移(pattern shift)，當(dāng)?shù)矸e速率太高并且薄膜在生長(zhǎng)時(shí)相對(duì)于晶圓表面存在角度時(shí)，就會(huì)發(fā)生圖形偏移。 HCPL-0720當(dāng)依賴于薄膜表面臺(tái)階的位置與襯底的圖形對(duì)準(zhǔn)時(shí)，圖形偏移就成了問題（見圖12. 32）。另一個(gè)生長(zhǎng)中的主要問題是滑移( slip)�；苼�(lái)源于對(duì)淀積參數(shù)的控制不當(dāng)，并將導(dǎo)致晶格沿分界面方向滑移(slippage)（見圖12. 33），

   有兩個(gè)問題與淀積溫度相關(guān)，自動(dòng)摻雜( autodoping)和外溢擴(kuò)散。當(dāng)晶圓背面的摻雜原子從晶圓中擴(kuò)散出去時(shí)，與反應(yīng)氣體混合后融合到生長(zhǎng)的薄膜內(nèi)，導(dǎo)致生長(zhǎng)膜的自動(dòng)摻雜（見圖12. 34），從而引起薄膜的電阻率和電導(dǎo)率的變化。在N型晶圓上生長(zhǎng)的P型薄膜中的自動(dòng)摻雜將比預(yù)想的P型中的要低一些。P型濃度較低，是因?yàn)樽詣?dòng)摻雜的原子中和r一砦薄膜內(nèi)的P型原子。

   外溢擴(kuò)散( out-diffusion)有著同樣的影響，但其發(fā)生在外延膜和晶圓的交接面。外溢擴(kuò)散的原子來(lái)源于外延淀積前擴(kuò)散到晶圓內(nèi)的摻雜源。在雙極型器件內(nèi)，該區(qū)域稱為埋層( buriedlayer)或次集電極(subcollector)。通常，埋層是在P型晶圓內(nèi)的N型區(qū)，上面是生長(zhǎng)的N型外延層．、在淀積過程中，N型原子擴(kuò)散出來(lái)與外延膜的底部結(jié)合，使?jié)舛劝l(fā)生變化。極端情況下，埋層可能擴(kuò)散出來(lái)，進(jìn)入雙極型器件的結(jié)構(gòu)內(nèi)，引起電性能失效。