直到20世紀70年代中期，硅柵MOS器件的出現(xiàn)（見圖12. 37）， HCPL-0723多晶硅才在器件結(jié)構(gòu)中得以應用。硅一柵器件技術(shù)加速了淀積多晶硅薄膜的可靠工藝的需求。到20世紀80年代，多晶硅似乎成r先進器件材料的主力軍。除了MOS柵之外，多晶硅還用在SRAM器件中的負載電阻、溝槽填充；EEPROM中的多層聚合物、接觸阻隔層；雙極型器件的發(fā)射極和硅化物金屬配置中的一部分（見第13章和第16章）。

   早期的T藝僅涉及將覆蓋有氧化物的晶圓放在水平式APCVD系統(tǒng)中，并在氧化物上淀積多晶硅。多晶硅的淀積和外延淀積的主要區(qū)別是硅烷( Silane)的使用，、硅烷沒有受到外延膜淀積的青睞，而在多晶硅淀積中得到r廣泛的應用。

   典型的多晶硅淀積工藝的溫度在600℃~ 650℃范圍，，淀積可能來自100%的硅烷或含有N：或H：的氣體。多晶硅的結(jié)構(gòu)在前面描述過，如硅原子在整體上的無序排列。在淀積多晶硅時，結(jié)構(gòu)有些不同。在淀積的起始階段，溫度在575℃下，結(jié)構(gòu)是非晶態(tài)的。淀積工藝形成的多晶結(jié)構(gòu)由單晶硅的小核（晶體或晶核）組成。單晶硅被晶核的邊界分隔。這種結(jié)構(gòu)稱為柱形多晶( columnar  poly)。