微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)
發(fā)布時(shí)間:2015/11/14 16:04:34 訪問次數(shù):575
半導(dǎo)體微芯片制造1:IP4058CX8/LF藝已經(jīng)給出廠一個(gè)新的產(chǎn)品線,即微電子機(jī)械系統(tǒng)( MEMS)。一般說來,它們是用半導(dǎo)體工藝制造的機(jī)械器件16,F(xiàn)在的產(chǎn)品包括微傳感器( microsensor)幣Ⅱ微執(zhí)行器( mi。,oactuator);旧,這些是將物理輸入量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮有盘?hào)的變換器。溫度、壓力、慣性力、化學(xué)種類、磁場(chǎng)和輻射是具體的實(shí)例。用晶圓制造技術(shù)做成的MEMS器件包括:電機(jī)、運(yùn)動(dòng)傳感器(如航空包傳感器)、分光計(jì)和微型隧道掃描顯微鏡。MEMS技術(shù)的未來是納米級(jí)的,這會(huì)將器件帶入原子和分子領(lǐng)域。與微電子相伴隨的,MEMS祁/或集成在集成電路中或其上的MEMS器件正在創(chuàng)造一個(gè)全新的產(chǎn)業(yè)。
應(yīng)變儀
利用結(jié)對(duì)機(jī)械壓力的反應(yīng)做成的器件稱為應(yīng)變儀。它是在晶圓的背面進(jìn)行刻蝕,只留下很薄的一層薄膜。結(jié)和支撐電路就是在薄膜上生成的。當(dāng)薄膜由于受到外力而發(fā)生形變時(shí),比如重力和壓縮氣體的壓力,半導(dǎo)體電路產(chǎn)生的輸出信號(hào)與其形變成正比。電路的輸出與加在薄膜上的壓力的大小相關(guān),并且把值反映到適當(dāng)?shù)膬x表上。
電池
薄膜充電電池是由鋰和釩的五氧化物生成的。這種電池和CMOS器件同做在一個(gè)器件上,一旦外部供電出現(xiàn)問題,它可以為CMOS器件供電.
半導(dǎo)體微芯片制造1:IP4058CX8/LF藝已經(jīng)給出廠一個(gè)新的產(chǎn)品線,即微電子機(jī)械系統(tǒng)( MEMS)。一般說來,它們是用半導(dǎo)體工藝制造的機(jī)械器件16,F(xiàn)在的產(chǎn)品包括微傳感器( microsensor)幣Ⅱ微執(zhí)行器( mi。,oactuator);旧,這些是將物理輸入量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮有盘?hào)的變換器。溫度、壓力、慣性力、化學(xué)種類、磁場(chǎng)和輻射是具體的實(shí)例。用晶圓制造技術(shù)做成的MEMS器件包括:電機(jī)、運(yùn)動(dòng)傳感器(如航空包傳感器)、分光計(jì)和微型隧道掃描顯微鏡。MEMS技術(shù)的未來是納米級(jí)的,這會(huì)將器件帶入原子和分子領(lǐng)域。與微電子相伴隨的,MEMS祁/或集成在集成電路中或其上的MEMS器件正在創(chuàng)造一個(gè)全新的產(chǎn)業(yè)。
應(yīng)變儀
利用結(jié)對(duì)機(jī)械壓力的反應(yīng)做成的器件稱為應(yīng)變儀。它是在晶圓的背面進(jìn)行刻蝕,只留下很薄的一層薄膜。結(jié)和支撐電路就是在薄膜上生成的。當(dāng)薄膜由于受到外力而發(fā)生形變時(shí),比如重力和壓縮氣體的壓力,半導(dǎo)體電路產(chǎn)生的輸出信號(hào)與其形變成正比。電路的輸出與加在薄膜上的壓力的大小相關(guān),并且把值反映到適當(dāng)?shù)膬x表上。
電池
薄膜充電電池是由鋰和釩的五氧化物生成的。這種電池和CMOS器件同做在一個(gè)器件上,一旦外部供電出現(xiàn)問題,它可以為CMOS器件供電.
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