氧化硅刻蝕( oxide etching)：使用氫氟酸(HF)來進(jìn)行二氧化硅刻蝕的1：藝。通常人DM74ALS14MX們使用緩沖二氧化硅腐蝕( BOFl)，因?yàn)楸仨殞?duì)HF進(jìn)行緩沖以使化學(xué)反應(yīng)減速到可以很好控制的程度。封裝體( package)：包裹半導(dǎo)體芯片以保護(hù)芯片并提供連接外部電路管心的包裝或管殼。封裝良品率( packaging  yield)：從封裝后經(jīng)過電測(cè)仍然工作的芯片個(gè)數(shù)與進(jìn)入封裝過程的合格半導(dǎo)體芯片個(gè)數(shù)的比值.鈍化層( passivation)：在芯片制造工藝中的最后一層密封保護(hù)層，它可以阻止外界化學(xué)反應(yīng)、腐蝕和封裝過程申的處理對(duì)芯片產(chǎn)生的影響。鈍化層通常是用二氧化硅或者氮化硅，以防止潮氣或沾污。

   圖形化工藝【patterning）：將圖案從光刻掩模版七轉(zhuǎn)移到晶圓上，從而定義要刻蝕或摻雜區(qū) 域的工藝，常特指光刻工藝。、保護(hù)膜( pellicle)：一種光學(xué)級(jí)的聚合物薄膜，它被繃在一個(gè)框架上并固定在掩模版或放大掩模版上。這就解決r窄氣中污染物在掩模版上積累并形成類似不透明點(diǎn)的問題。在曝光中，任何污染物都被保持在焦平面之外，而不被“打印”到晶圓上。

   磷烷( phosphine)：一種氣體，在摻雜工藝中常被用做磷的源。 磷( phosphorus)：通常用在標(biāo)準(zhǔn)雙極集成電路工藝中作為集電極和發(fā)射極的Ⅳ型摻雜劑。三氯氧磷[ phosphorus oxychloride( POCb)]：一種液體，經(jīng)常被用在摻雜硅的生產(chǎn)中，用來提供摻雜的磷。