晶閘管閉環(huán)效應(yīng)。CMOS集成電路中含有P溝道和N溝道MOs場效應(yīng)晶體管,ADC0848CCV其制作工藝按襯底導(dǎo)電類型的不同分為P阱CMOs工藝和N阱CMOs工藝。在CMOs電路中存在NPNP寄生晶間管結(jié)構(gòu),在一定條件下會被觸發(fā),電源到地之間便會流過較大的電流,并在NPNP寄生晶間管結(jié)構(gòu)中同時形成正反饋過程,此時寄生晶閘管結(jié)構(gòu)處于導(dǎo)通狀態(tài),只要電源電壓不降至臨界值以下,即使觸發(fā)信號已經(jīng)消失,已經(jīng)形成的導(dǎo)通電流也不會消失,引起器件的燒毀。這就是CMOs電路的寄生晶閘管效應(yīng),也稱閂鎖效應(yīng),簡稱閂鎖(Latch-up)。

    隨著集成度的提高,尺寸的縮小,摻雜濃度提高,寄生管的放大倍數(shù)變大,更易引起閂鎖效應(yīng)。