0.13um以下線寬的CMOs工藝中,金屬互連線大多采用金屬銅(Cu)。銅的電AD9889BBCPZ-165阻率約為1.7uΩ・cm,而鋁的電阻率約為2.7uΩ・cm,故銅線的電阻率較鋁的下降了硐%,利用Cu取代Al可使互連延遲減少40%。另外銅的熔點約是1070℃,高于鋁的6ω℃,故銅可以承受較高的溫度。因銅原子較鋁原子不易移動,故抗電遷移性能較好,并且導電性能和散熱也較鋁好。

   雖然銅線有很好的優(yōu)點,但也有一些缺陷,這是由于銅在硅基板中擴散得非常快,因此一定要有很好的阻擋層,以防止銅原子擴散出來。銅很容易在空氣中氧化,并且銅線不能采用一般的干法刻蝕,而需要使用所謂的大馬士革方法(DualDamasccnc)去刻蝕。

   金屬化互連線的開路是指芯片上用于電連接的鋁連線產(chǎn)生了開路,開路的原因與芯片的加工工藝和使用條件有關(guān)。

   多層金屬布線中,采用腐蝕法刻蝕鋁和介質(zhì)層上的通孔會造成金屬邊緣和氧化層臺階處第二層金屬膜厚的不均勻,從而引起斷條,產(chǎn)生開路現(xiàn)象。使用中,金屬條中流過的電流密度過大,金屬原子遷移從而導致金屬化互連線的斷裂,產(chǎn)生開路現(xiàn)象。