碳化物的沉積通常通過(guò)鹵化物和碳?xì)?a title="AD7892ARZ-2" href=" http://www.hqwq.cn/stock_A/AD7892ARZ-2.html">AD7892ARZ-2化物相互反應(yīng)獲得,其典型的化學(xué)反應(yīng)式為

   TC△(氣)+CH4(氣)-△C(固)+4HCl(氣)

   在氮化物的沉積過(guò)程中,氮的來(lái)源主要是通過(guò)氨氣的分解來(lái)提供的,最典型的應(yīng)用是氮化硅的沉積,其化學(xué)反應(yīng)式為

   3siH4(氣)+4NH3(氣)→Si3N4(固)+12H2(氣)

   各種CVD方法的優(yōu)缺點(diǎn)如表2.4所示。表2.5是幾種化學(xué)氣相沉積方法的沉積條件、沉積能力、薄膜性能及其應(yīng)用的比較。