在空氣中或有氧存在的加熱的化學(xué)品清洗池中均可產(chǎn)生氧化反應(yīng)。通常在OP262GSZ-REEL7清洗池中生成的氧化物,盡管很薄(10~⒛nm),但其厚度足以阻止晶圓表面在以后的工藝過(guò)程中發(fā)生正常的化學(xué)反應(yīng)。這一薄層氧化物隔離了晶圓面與導(dǎo)電的金屬層之間的接觸。

   有氧化物的硅片表面具有吸濕性,而沒(méi)有氧化物的硅片表面具有憎水性。氫氟酸是去除氧化物的首選酸。在初始氧化之前,當(dāng)晶圓表面只有硅時(shí),將其放入盛有氫氟酸(翎%)的池中清洗,以去除氧化物。

   在以后的工藝中,當(dāng)晶圓表面覆蓋著之前生成的氧化物時(shí),用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形的孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強(qiáng)度從100△到10∶7(H20∶HF)變化。強(qiáng)度的選擇取決于晶圓上氧化物的多少,因?yàn)樗蜌浞岬娜芤?/span>既可將晶圓上孔中的氧化物刻蝕掉,又可將表面其余部分的氧化物去除。既要保證將孔中的氧化物去除,同時(shí)又不會(huì)過(guò)分地刻蝕其他的氧化層,就要選擇一定的強(qiáng)度。典型的稀釋溶液是1∶50到1△00。