銅互連工藝與鋁互連不同之處在于金屬互連采用銅互連,同時為了降低寄生電容,EP1C6Q240C8N金屬層間的介質(zhì)隔離采用低肟介質(zhì)。由于金屬銅難以腐蝕,因此采用大馬士革(DamⅡccnc)的銅CMP工藝。

   1.金屬前介質(zhì)沉積

   首先沉積未摻雜的TEOS,隨后沉積BPSG,經(jīng)過高溫致密化及平坦化處理。

   接著沉積未摻雜的TEOs,形成金屬前介質(zhì),如圖4.”所示。

   2. 接角蟲孑L

   金屬前介質(zhì)沉積后進(jìn)行接觸孔光刻和腐蝕,形成接觸孔。接著采用CVD方法沉積一層薄的△和TiN,隨后采用CVD方法沉積W,進(jìn)行W填充,然后進(jìn)行WCMP。去除掉表面的W,保留接觸孔內(nèi)的W,如圖4。⒛所示。