(1)改用低吸濕性樹脂,提高樹Q2006DH3脂純度,減少其中所含Na+、C「等有害雜質(zhì)。

   (2)降低樹脂的熱膨脹系數(shù),添加耦合劑,改變引線框架形狀,以改善材料間黏合強(qiáng)度,防止引線框和樹脂界面間進(jìn)入水分。

   (3)芯片表面加鈍化層保護(hù),如氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃、有機(jī)涂料或聚酰亞胺等,其中以等離子體沉積的氮化硅薄膜效果明顯,不過鍵合處仍不能保護(hù)。

   (4)開發(fā)耐腐蝕布線材料和工藝,如利用等離子體放電的鋁表面氧化,利用As、P等的離子注入提高鋁布線膜質(zhì),另外在納米工藝技術(shù)中,用銅代替鋁作互連線使用。