對于斜坡上升速率為0.5MV/(cm・s)時的測量數據,擊穿電流設置在100mA/cm2,即1zOILA時,BP3105斜坡步進時間是0,056s,斜坡步進電壓是0.05V,柵氧化層的厚度是17。snm,斜坡步進電場為28600V/cm,于是計算出5V恒定工作電壓 下的壽命時間如表7.6所示。

   表76 亞微米CM0s工藝斜坡擊穿電壓與壽命時間

   斜坡電壓測試時,使MOs電容處于積累狀態(tài),在柵極上的電壓從使用電壓開始掃描,一直到氧化層擊穿為止,擊穿點的電壓即擊穿電壓(吒D),同時還可以得到擊穿電荷(幺D)。按照JEDEC標準,用斜坡電壓法時,總的測試結構的氧化膜面積要達到一定的要求(比如大于10cm2等)。做完所有樣品的測試后,對得到的擊穿電壓進行分類:

   (1)擊穿電壓(使用電壓:早期失效;

   (2)使用電壓(擊穿電壓(昭×使用電壓:可靠性失效(仞為一系數,一般為2);

   (3)擊穿電壓)聊×使用電壓:本征失效。

   缺陷密度D的計算方法如下:

   D=(早期失效數+可靠性失效數)/總的測試面積。如果D小于目標值,則通過;如果D大于目標值,則沒有通過。目標值根據具體工藝確定。此外,得到的擊穿電量也可以作為判定失效類型的標準,一般當么D(0.1C/cm2就認為一個失效點。但是當工藝在0.18um以下時,魷D一般只是作為一個參考,并不作為判定標準,因為魷D和很多測試因素有關。