加速試驗表明,為了使器件能在25℃、5V環(huán)境下工作10年,最薄的柵氧化層厚度應不小于7,2nm,隨著溫度的上升氧化層還得加厚(9,3nm,150℃)。 HCNW2611-500E由于短溝道器件的橫向電場增強,在高電場作用下,溝道中的電子獲得足夠的能量成為高能電子,其中一部分越過Si/S⒑2勢壘到達柵下的S⒑2中。高能電子還可以通過碰撞產(chǎn)生電子空穴對,引起倍增效應,空穴流入襯底形成襯底電流,進入柵氧化層中的電子引起閾值電壓上升和器件跨導降低,使器件退化。

   器件尺寸的縮小,對金屬一半導體接觸提出了嚴格要求。對于1um的工藝來說,結(jié)深約為0.2um,接觸層厚度不超過0。⒆um。鋁是集成電路金屬化最常用的材料,由于Al-Si在工藝溫度下產(chǎn)生很強的相互作用,使淺結(jié)器件中的管道和漏電增多,為此人們采用了具有阻擋層的較復雜的金屬化系統(tǒng)。

   電遷移是接觸和互連的主要失效機理,是由電流引起的金屬原子沿互連線的遷移。金屬原子受靜電和通常稱為“電子風”力的作用而產(chǎn)生移動,引起金屬線或接觸部位開路或相鄰金屬線的短路。表8.7列出了連接孔的最大電流密度。

   表87 連接孔的最大電流密度