集成電路可靠性仿真技術(shù)發(fā)展多年,CAP005DG相繼開發(fā)出許多模型和仿真方法,大多數(shù)先進(jìn)的仿真工具主要采用模擬器件退化過程,并通過迭代計(jì)算得到器件退化后的輸出特性的方法進(jìn)行可靠性仿真,最有名的仿真工具是BATBERT,常簡寫成BERT。BTABERT是世界上第一個(gè)商業(yè)化的電路級可靠性仿真器。BTABERT具有在實(shí)際電路工作條件下進(jìn)行熱載流子衰減(HCI)、電遷移和氧化層失效分析的獨(dú)特能力。借助于BERTLink,用戶可以方便地將BTABERT嵌于他們現(xiàn)有的EDA設(shè)計(jì)環(huán)境中去,動態(tài)地驗(yàn)證設(shè)計(jì)可靠性,排除設(shè)計(jì)中的所有可靠性問題。BTABERT包括4種可靠性分析模塊。MOs熱載流子模塊、雙極熱載流子模 塊,預(yù)計(jì)由于熱載流子效應(yīng)導(dǎo)致的晶體管和電路的退化,并反標(biāo)到原理圖中;電遷移模塊可對每個(gè)連線、過孔和接觸孔預(yù)計(jì)電遷移失效率,標(biāo)記電路中潛在的危險(xiǎn)點(diǎn),并反標(biāo)注到版圖中;氧化層擊穿模塊預(yù)計(jì)氧化層失效率,仿真氧化層老化效應(yīng),也可以反標(biāo)注到版圖中。

    BTABERT可以利用現(xiàn)有的SPICE結(jié)果,使得由于使用BTABERT而在設(shè)計(jì)過程中添加的額外操作最少。支持所有的HSPICE、ELDo和spec“eMOS模型。熱載流子退化的DeltaMOS模型從老化r/參數(shù)中提取時(shí)很方便,它能模擬HCI與柵長、氧化層厚度和氧化層質(zhì)量等工藝條件的關(guān)系。在EM仿真中可用用戶自定義電流密度的輸出方式,并可以計(jì)算電流隨寬度的變化。EM仿真中可支持10余種連線、過孔、接觸孔類型。氧化層可靠性仿真可以支持不同柵氧厚度,擁有用戶友好的界面,可用HsPLoT、GsI、AWD、XP顯示結(jié)果。可接受Relpro/Rclpro+提取的參數(shù),Rclpro+是熱載流子加速老化、參數(shù)化和參數(shù)提取的自動化系統(tǒng)。