所用樣品分別采用H和S公司的0.18um CMOS工藝加工制作。圖9,I4給出了兩家公司不同面積的MOs電容在強(qiáng)積累偏置條件下的電容值,CAP005DG每個測量點對應(yīng)著一個MOs電容的電容值。從圖中可以看出,對于相同面積的MOs電容,s公司MOS電容樣品的電容值均大于H公司MOS電容樣品的電容值。用MINITAB軟件對兩批樣品的高頻電容(鱺h/鱺繼)數(shù)據(jù)進(jìn)行正態(tài)檢驗。如圖9.15所示,S公司樣品正態(tài)檢驗P值小于0。OO5表示其不滿足正態(tài)分布。H公司測試數(shù)據(jù)的正態(tài)檢驗如圖9.16所示,H公司樣品正態(tài)性檢驗結(jié)果說明其分布滿足正 態(tài)性檢驗。