可靠性模擬時(shí)調(diào)用襯底電流模型,用襯底電流來表征熱載流子退化�？梢钥�AD8044AR-14出,熱載流子退化對(duì)器件非常敏感,并且由此效應(yīng)形成的襯底電流與過飽和漏源電壓成指數(shù)關(guān)系。為抑制熱載流子效應(yīng),必須盡可能減少M(fèi)OS管上的漏源電壓值。

   CMOs數(shù)字電路中,熱載流子引起的MOS管退化總是發(fā)生在開關(guān)的瞬間,也就是輸入和輸出電壓波形經(jīng)歷由低到高或由高到低變化的過程中。因此,器件在給定時(shí)間內(nèi)經(jīng)歷的開關(guān)次數(shù)決定了實(shí)際的退化水平。所以減小器件在給定時(shí)間內(nèi)的開關(guān)工作次數(shù)有利于抑制熱載流子效應(yīng)。

   輸入上升沿經(jīng)歷的時(shí)間越長,NMOs管在飽和區(qū)停留的時(shí)間越長,熱載流子引起的性能退化越嚴(yán)重。故縮短輸入上升沿時(shí)間對(duì)于抑制器件熱載流子退化是有效的。BTABERT模擬仿真軟件中所用的NMOS DC壽命模型表達(dá)式如下: