為了精確模擬器件特性,AD8054AR中用了較精確的物理模型,包括復(fù)合和壽命模型、AD8054AR遷移率模型、BTBT(帶與帶隧穿模型)、BGN(禁帶變窄模型)及一些其他物理模型。

   MEDICI中的產(chǎn)生復(fù)合模型主要有SRH、AUGER、CONsRH、IMPACT.I、Ⅱ,TEMP等。根據(jù)深亞微米NMOSFET熱載流子效應(yīng)特點(diǎn),這里選擇CONsRII、AUGER和IMPACT。I模型。

   MEDIα提供多種遷移率模型,用戶可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇模型。載流子遷移率/Jll和//p反映載流子輸運(yùn)過(guò)程中的散射機(jī)制。MEDICI提供了3大類(lèi)型的遷移率模型,如表10.21所示。

   對(duì)于深亞微米MOSFET來(lái)說(shuō),隨著器件特征尺寸縮小,溝道中橫向電場(chǎng)顯著增大,載流子在漏端附近可能獲得足夠能量成為熱載流子,熱載流子注入柵氧化層中,會(huì)導(dǎo)致si/S⒑2界面產(chǎn)生界面態(tài)和產(chǎn)生氧化層陷阱電荷。根據(jù)這一特點(diǎn),這里模擬時(shí)選擇CONMoB(低場(chǎng)、300K時(shí)載流子遷移率隨雜質(zhì)濃度變化模型)、FLDMOB(計(jì)入平行電場(chǎng)分量的遷移率模型)、sRFMoB2(本模型用在半導(dǎo)體一絕緣體界面,計(jì)入聲子散射、表面粗糙散射和帶電雜質(zhì)散射)和TFLDMoB(一種任意集合結(jié)構(gòu)的MOsFET反型層遷移率模型)模型。