快閃存儲器ROM(Flash ROM)
發(fā)布時(shí)間:2016/7/6 22:21:10 訪問次數(shù):1585
Flash ROM是在EPROM和′PROM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。Flash ROM的讀/寫速度很快,存取時(shí)間可達(dá)20ns,所以也叫閃速存儲器,簡稱“閃存”。ACPM-7251-SG1目前很多單片機(jī)內(nèi)均采用Flash作為程序存儲器,其使用與擴(kuò)展方法和′PROM一樣。
閃速存儲器在EPROM工藝的基礎(chǔ)上增添了芯片電擦除和可再編程功能,使其成為性價(jià)比和可靠性高、擦寫快、非易失的卩PROM存儲器。很多Flash內(nèi)部集成有DαDC變換器,使讀、擦除、編程使用單一電壓(根據(jù)不同型號,有的是單一+SV,也有的是單一+3V),從而使在系統(tǒng)編程(IsP)成為可能,這種芯片可重復(fù)擦寫10萬次以上,數(shù)據(jù)可靠保持超過10年。
閃速存儲器必須按塊(Block)擦除,每個(gè)區(qū)塊的大小不定,不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格,而′PRoM則可以一次只擦除一字節(jié)(Bytc),因此目前閃存也被廣泛用在PC的主板上,用來保存BIOs程序,便于進(jìn)行程序的升級,同時(shí)也廣泛用作硬盤的替代品,具有抗震、速度快、
無噪聲、耗電低的優(yōu)點(diǎn),但是將其用來取代RAM就顯得不合適,因?yàn)镽AM需要能夠按字節(jié)改寫。
常見典型Flash ROM芯片有AT29C256(32K×8位)、AT29LV040A(512K×8位)和A血⒛F016B(2M×8位)等。
Flash ROM是在EPROM和′PROM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。Flash ROM的讀/寫速度很快,存取時(shí)間可達(dá)20ns,所以也叫閃速存儲器,簡稱“閃存”。ACPM-7251-SG1目前很多單片機(jī)內(nèi)均采用Flash作為程序存儲器,其使用與擴(kuò)展方法和′PROM一樣。
閃速存儲器在EPROM工藝的基礎(chǔ)上增添了芯片電擦除和可再編程功能,使其成為性價(jià)比和可靠性高、擦寫快、非易失的卩PROM存儲器。很多Flash內(nèi)部集成有DαDC變換器,使讀、擦除、編程使用單一電壓(根據(jù)不同型號,有的是單一+SV,也有的是單一+3V),從而使在系統(tǒng)編程(IsP)成為可能,這種芯片可重復(fù)擦寫10萬次以上,數(shù)據(jù)可靠保持超過10年。
閃速存儲器必須按塊(Block)擦除,每個(gè)區(qū)塊的大小不定,不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格,而′PRoM則可以一次只擦除一字節(jié)(Bytc),因此目前閃存也被廣泛用在PC的主板上,用來保存BIOs程序,便于進(jìn)行程序的升級,同時(shí)也廣泛用作硬盤的替代品,具有抗震、速度快、
無噪聲、耗電低的優(yōu)點(diǎn),但是將其用來取代RAM就顯得不合適,因?yàn)镽AM需要能夠按字節(jié)改寫。
常見典型Flash ROM芯片有AT29C256(32K×8位)、AT29LV040A(512K×8位)和A血⒛F016B(2M×8位)等。
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