本書(shū)包括三部分。第一部HCPL-3120-500E分是外延技術(shù),包括LED材料外延和檢測(cè)技術(shù)、藍(lán)綠光LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備、黃紅光LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備,從外延和檢測(cè)設(shè)備到LED外延結(jié)構(gòu)及外延生長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)行了全面介紹。第二部分是芯片技術(shù),包括LED芯片結(jié)構(gòu)及制備工藝、藍(lán)綠光LED芯片高光提取技術(shù)、紅黃光LED芯片結(jié)構(gòu)與制備工藝,從LED芯片制備基本工藝技術(shù)到整體工藝流程,以及先進(jìn)的高光效結(jié)構(gòu),涵蓋了GaN和AlGaInP兩個(gè)材料系的芯片結(jié)構(gòu)特性及制備過(guò)程,介紹了高壓LED結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)。第三部分是LED封裝技術(shù),從封裝的目的、光學(xué)設(shè)計(jì)和熱學(xué)設(shè)計(jì)方面對(duì)封裝技術(shù)進(jìn)行了介紹。

   本書(shū)第1章1.1~l。4節(jié)由張偉博士編著。l。5節(jié)由王軍喜研究員編著;主要介紹LED材料外延與檢測(cè)技術(shù),內(nèi)容包括LED材料結(jié)構(gòu)、LED外延生長(zhǎng)、MOCVD設(shè)備、MOCVD源材料,以及Ⅲ族氮化物異質(zhì)材料晶體質(zhì)量與電學(xué)性質(zhì)測(cè)試分析的部分手段與方法,如高分辨x射線(xiàn)衍射、光致發(fā)光譜、原子力顯微鏡、透射電鏡、電壓一電容以及霍爾測(cè)試。本書(shū)第2章由張寧博士編著。主要介紹藍(lán)綠光LED夕卜延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng),Ⅲ族氮化物藍(lán)綠光LED的基本物理性質(zhì)、能帶結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料優(yōu)化生長(zhǎng),主要包括氮化物材料的晶體結(jié)構(gòu)、極化效應(yīng)、異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)以及載流子輸運(yùn)等物理基礎(chǔ),重點(diǎn)講述了藍(lán)綠光LED的多量子阱與電子阻擋層能帶結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與p型材料的優(yōu)化生長(zhǎng)。

   第3章李建軍教授編著。主要介紹紅黃光LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng),內(nèi)容包括AlGaInP LED基本結(jié)構(gòu)、外延材料選取、外延生長(zhǎng)技術(shù),以及共振腔LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延技術(shù)。