刻蝕是用化學(xué)或者物理方法將晶片表面不需要部分去除的工藝過程,其基本目的是在完成光刻工藝的晶片上正確的復(fù)制掩膜圖形。MC13212刻蝕工藝主要有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種。干法刻蝕具有良好的側(cè)壁剖面,呈現(xiàn)好的各向異性,具有良好的選擇比、均勻性、穩(wěn)定性,可控精度高。濕法刻蝕通常具有成本低廉、工藝過程短、方便工業(yè)化生產(chǎn)等特點。LED芯片制造過程中涉及的刻蝕中,干法刻蝕主要用于臺面(MEsA)的刻蝕、鈍化膜層的刻蝕等,濕法刻蝕主要有ITo的刻蝕、鈍化膜的刻蝕、電流阻擋層(CBL)的刻蝕等。

   MEsA刻蝕通常用的是感應(yīng)耦合等離子體刻蝕,其刻蝕過程是物理過程與化學(xué)過程的綜合作用過程。物理過程是離子對晶片表面的轟擊,對化學(xué)作用有明顯的輔助作用。化學(xué)作用一方面包含刻蝕氣體通過電感耦合的方式輝光放電,產(chǎn)生活性游離基、亞穩(wěn)態(tài)粒子、原子等,以及它們之間的相互作用;另一方面包含活性粒子與基片固體表面的相互作用。通常用C12/BC13作為GaN材料的刻蝕氣體,在高能電磁場的作用下,C12分解為Cl、Cl`Cl;BC13分解為BCl、Bα2曰、Cl、Bα`Bα2`BC13`B+。