將鋁水化層拋離藍(lán)寶石表面
發(fā)布時(shí)間:2016/8/4 21:06:19 訪問次數(shù):538
Honglin Zhu等人的研究表明[13^1釗,在拋光過程中,藍(lán)寶石表面會(huì)形成1nm左右的水化層,MLV-150D此水化層為鮑姆石和水鋁石,其化學(xué)成分為Alo(OH)和Alo(oH)3,對(duì)拋光速率有確定作用。只有磨料硬度比水化層硬而比藍(lán)寶石軟才能得到很好的拋光表面,即磨料硬度和拋光速率不成正比關(guān)系。汪海波等人[15]的研究表明,隨pH值(9~12)的升高,拋光速率增加,表面粗糙度先減低后升高,隨著拋光壓力和相對(duì)轉(zhuǎn)速的增加,拋光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。pH值主要影響水化層的形成,在堿性溶液中,藍(lán)寶石表面物質(zhì)的反應(yīng)式為式(⒋16)、式(⒋17)所示。水化層在堿性溶液中發(fā)生脫H反應(yīng), 表面帶上負(fù)電荷,堿性越大負(fù)電荷密度越高。Al2α化學(xué)機(jī)械拋光按照先和水發(fā)生反應(yīng),生成水化層,在經(jīng)過機(jī)械壓力,通過Sio2顆粒和水的混合膜作用與水化層,將鋁水化層拋離藍(lán)寶石表面,拋離表面的物質(zhì)受到0Hˉ的四周攻擊,溶解于拋光液中。鋁水化層不能阻止oH擴(kuò)散機(jī)械腐蝕晶體表面的鋁,因此藍(lán)寶石能被進(jìn)一步腐蝕。并且在拋光過程中,局部溫度達(dá)到很高,離子的擴(kuò)散和化學(xué)反應(yīng)速率會(huì)增加,一旦機(jī)械去除速度比不上腐蝕速率時(shí),將在藍(lán)寶石表面出現(xiàn)腐蝕坑。
Honglin Zhu等人的研究表明[13^1釗,在拋光過程中,藍(lán)寶石表面會(huì)形成1nm左右的水化層,MLV-150D此水化層為鮑姆石和水鋁石,其化學(xué)成分為Alo(OH)和Alo(oH)3,對(duì)拋光速率有確定作用。只有磨料硬度比水化層硬而比藍(lán)寶石軟才能得到很好的拋光表面,即磨料硬度和拋光速率不成正比關(guān)系。汪海波等人[15]的研究表明,隨pH值(9~12)的升高,拋光速率增加,表面粗糙度先減低后升高,隨著拋光壓力和相對(duì)轉(zhuǎn)速的增加,拋光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。pH值主要影響水化層的形成,在堿性溶液中,藍(lán)寶石表面物質(zhì)的反應(yīng)式為式(⒋16)、式(⒋17)所示。水化層在堿性溶液中發(fā)生脫H反應(yīng), 表面帶上負(fù)電荷,堿性越大負(fù)電荷密度越高。Al2α化學(xué)機(jī)械拋光按照先和水發(fā)生反應(yīng),生成水化層,在經(jīng)過機(jī)械壓力,通過Sio2顆粒和水的混合膜作用與水化層,將鋁水化層拋離藍(lán)寶石表面,拋離表面的物質(zhì)受到0Hˉ的四周攻擊,溶解于拋光液中。鋁水化層不能阻止oH擴(kuò)散機(jī)械腐蝕晶體表面的鋁,因此藍(lán)寶石能被進(jìn)一步腐蝕。并且在拋光過程中,局部溫度達(dá)到很高,離子的擴(kuò)散和化學(xué)反應(yīng)速率會(huì)增加,一旦機(jī)械去除速度比不上腐蝕速率時(shí),將在藍(lán)寶石表面出現(xiàn)腐蝕坑。
熱門點(diǎn)擊
- 刻蝕效果的主要參數(shù)有刻蝕速率
- 研磨拋光工藝流程
- 通常采用三次光刻芯片制程
- 中斷響應(yīng)的條件
- 12位A/D轉(zhuǎn)換器AD1674及與單片機(jī)接口
- 幾種典型的MOCVD反應(yīng)室
- 單片機(jī)選用sTC90C51系列單片
- SPICE軟件
- 制作金屬電極
- N電極和蓋在透明導(dǎo)電層(ITO)上的P電極焊
推薦技術(shù)資料
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