激光加工技術(shù)用于提高GaN基LED的光提取效率的工作,主要集中在垂直結(jié)構(gòu)上用KrF激光粗化n~GaN、通過激光打孔技術(shù)使倒裝結(jié)構(gòu)芯片上的藍寶石背面粗化、EP1C12Q240C6N用激光微加工技術(shù)制作LED芯片的幾何形狀等。研究者們系統(tǒng)地研究了隱形切割對GaN基LED光電參數(shù)的影響。隱形切割對藍寶石襯底GaN基LED光性能的提升與使用激光的頻率有關(guān)系。Jac~Hoon Lcc等人[1剔用飛秒激光(1飛秒=l fl15秒)聚焦在藍寶石襯底的內(nèi)部,并分離藍寶石得到分離LED器件,用飛秒激光的樣品在201nA下光功率比用納秒激光的高11%,提高的原因歸于減少了藍寶石的碎屑和熱損傷。比較圖5-9和圖5-10發(fā)現(xiàn),飛秒激光切割比納秒激光切割明顯減少了藍寶石的碎屑和損傷。因為飛秒激光超短的脈沖寬度使得其能在短時間內(nèi)具有很高的激光能量密度,因此飛秒激光切割具有高速作業(yè)的優(yōu)點。