提高發(fā)射均勻性和穩(wěn)定性的常用方法是增加串聯(lián)電阻
發(fā)布時(shí)間:2016/9/28 20:24:44 訪問次數(shù):754
提高發(fā)射均勻性和穩(wěn)定性的常用方法是增加串聯(lián)電阻,其作用為:
(1)限流作用,當(dāng)個(gè)別 T008G79E81發(fā)射體發(fā)射過大時(shí),由于電阻的分壓作用使電流受限,從而均衡了各發(fā)射體的發(fā)射能力。
(2)當(dāng)個(gè)別發(fā)射微尖與柵極發(fā)射短路時(shí),電阻承受了電壓降,其他微尖仍能正常工作。由于微尖數(shù)量極大,個(gè)別微尖的損失影響不大。如果沒有串聯(lián)電阻,整個(gè)發(fā)射陣列就會(huì)失效。
場(chǎng)發(fā)射陣列限流電阻層的結(jié)構(gòu)有以下幾種:
1.縱向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
由于電阻層位于所有微尖下,要產(chǎn)生較大的壓降,就需把電阻層做得較厚,但這是有限的。因此,個(gè)別發(fā)射體發(fā)射電流過大或與柵極短路時(shí),易造成電阻層擊穿,失去抑制作用。
2.橫向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
與縱向串連電阻結(jié)構(gòu)相比,該結(jié)構(gòu)的耐擊穿能力和限流能力大大提高,其缺點(diǎn)是中間部分的微尖陰柵極間電壓降比外側(cè)的低,因此發(fā)射也小。在極端情況下,外側(cè)微尖發(fā)射過大,甚至燒毀,而中間部分的微尖發(fā)射仍然很小,因此限制了`總的發(fā)射電流。
3.網(wǎng)格狀串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
網(wǎng)格狀電阻層把陰極分成網(wǎng)格狀陰極,在每個(gè)網(wǎng)格中央加上一個(gè)金屬島電極作為等勢(shì)體。電流經(jīng)橫向電阻渡越到金屬島上,各微尖在金屬島上均勻發(fā)射,橫向電阻承受較大的壓降而縱向電阻起到均勻電流的作用,這樣以較薄的電阻層就起到均勻發(fā)射電流的作用,提高了發(fā)射的一致性。
4.分布式橫向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
網(wǎng)格狀串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是,當(dāng)?shù)任惑w薄膜上的任何一個(gè)微尖發(fā)生短路擊穿時(shí),該等位體薄膜上的所有微尖都失效。改進(jìn)措施是使每個(gè)像素都包含多個(gè)這樣的單元,即使個(gè)別單元失效,對(duì)該像素影響也有限,分布式橫向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)這一目的。
提高發(fā)射均勻性和穩(wěn)定性的常用方法是增加串聯(lián)電阻,其作用為:
(1)限流作用,當(dāng)個(gè)別 T008G79E81發(fā)射體發(fā)射過大時(shí),由于電阻的分壓作用使電流受限,從而均衡了各發(fā)射體的發(fā)射能力。
(2)當(dāng)個(gè)別發(fā)射微尖與柵極發(fā)射短路時(shí),電阻承受了電壓降,其他微尖仍能正常工作。由于微尖數(shù)量極大,個(gè)別微尖的損失影響不大。如果沒有串聯(lián)電阻,整個(gè)發(fā)射陣列就會(huì)失效。
場(chǎng)發(fā)射陣列限流電阻層的結(jié)構(gòu)有以下幾種:
1.縱向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
由于電阻層位于所有微尖下,要產(chǎn)生較大的壓降,就需把電阻層做得較厚,但這是有限的。因此,個(gè)別發(fā)射體發(fā)射電流過大或與柵極短路時(shí),易造成電阻層擊穿,失去抑制作用。
2.橫向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
與縱向串連電阻結(jié)構(gòu)相比,該結(jié)構(gòu)的耐擊穿能力和限流能力大大提高,其缺點(diǎn)是中間部分的微尖陰柵極間電壓降比外側(cè)的低,因此發(fā)射也小。在極端情況下,外側(cè)微尖發(fā)射過大,甚至燒毀,而中間部分的微尖發(fā)射仍然很小,因此限制了`總的發(fā)射電流。
3.網(wǎng)格狀串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
網(wǎng)格狀電阻層把陰極分成網(wǎng)格狀陰極,在每個(gè)網(wǎng)格中央加上一個(gè)金屬島電極作為等勢(shì)體。電流經(jīng)橫向電阻渡越到金屬島上,各微尖在金屬島上均勻發(fā)射,橫向電阻承受較大的壓降而縱向電阻起到均勻電流的作用,這樣以較薄的電阻層就起到均勻發(fā)射電流的作用,提高了發(fā)射的一致性。
4.分布式橫向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)
網(wǎng)格狀串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是,當(dāng)?shù)任惑w薄膜上的任何一個(gè)微尖發(fā)生短路擊穿時(shí),該等位體薄膜上的所有微尖都失效。改進(jìn)措施是使每個(gè)像素都包含多個(gè)這樣的單元,即使個(gè)別單元失效,對(duì)該像素影響也有限,分布式橫向串聯(lián)電阻結(jié)構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)這一目的。
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