實現(xiàn)半導(dǎo)體材料外延的技術(shù)主要包括:氣相外H9DA4VH4JJAMCR-4EM延(VPE,Ⅵpor Phase Epitaxy),液相 外延(LPE,ⅡqLlid Phase Epitaxy),固相外延(sPE,So舊Phasc EpitⅨy)和分子束外延(MBE,Mo1ccular Beam Epitaxy)。根據(jù)前驅(qū)物的不同,氣相外延又被分為氫化物氣相外延(HVPE,Hydridc VapOr Phasc Epitaxy)和金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD,Mctal organic Chcmical昵por Dcposition)。在LED外延片的制造中,液相外延用于部分GaAs基紅光LED外延片,其典型特征是成本較低;氫化物氣相外延用于少數(shù)G瘀基材料外延;而金屬有機化學(xué)氣相沉積技術(shù)是LED外延片生長的主流技術(shù),被廣泛地用于制備GaAs基紅光LED外延片,A1GaInP紅黃光LED外延片及GaN基藍綠光LED外延片。