超高真空化學(xué)氣相沉積技術(shù)發(fā)展于⒛世紀(jì)80年代末,是指在氣壓106Pa以下的超高真空反應(yīng)器中進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積過(guò)程,特別適合于在化學(xué)活性高的襯底表面沉積單晶薄膜。 H9TP32A4GDBCPR-KGM與傳統(tǒng)的氣相外延不同,UH平CVD技術(shù)采用低壓和低溫(500~ω0℃)生長(zhǎng),能夠有效地減少摻雜源的固態(tài)擴(kuò)散,抑制外延薄膜的三維生長(zhǎng)。例如,在硅單晶表面生長(zhǎng)si或s￡c合金外延薄膜,傳統(tǒng)的氣相外延以⒏α4為硅源,需要在大氣壓力和高溫(約110O℃)下進(jìn)行反應(yīng)。UHⅥCVD系統(tǒng)反應(yīng)器的超高真空避免了Si襯底表面的氧化,并有效地減少了反應(yīng)氣體所產(chǎn)生的雜質(zhì)摻入到生長(zhǎng)的薄膜中。在超高真空條件下,反應(yīng)氣分子能夠直接傳輸?shù)揭r底表面,不存在反應(yīng)氣體的擴(kuò)散及分子間的復(fù)雜相互作用,沉積過(guò)程主要取決于氣-固界面的反應(yīng)。傳統(tǒng)的氣相外延中,氣相前驅(qū)物通過(guò)邊界層向襯底表面的擴(kuò)散決定了外延薄膜的生長(zhǎng)速率。超高真空使得氣相前驅(qū)物分子直接沖擊襯底表面,薄膜的生長(zhǎng)主要由表面的化學(xué)反應(yīng)控制。因此,在支撐座上的所有基片(襯底)表面的氣相前驅(qū)物硅烷或鍺烷分子流量都是相同的,這使得同時(shí)在多基片上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)成為可能。