靜電電荷也可以以其他非摩擦的方式產(chǎn)生,比如感應(yīng)帶電,離子轟擊,接觸另一個(gè)靜電的物體。K4D261638F-TC40然而,摩擦帶電是最普遍的。GaN基LED在生產(chǎn)過程中,從原材料的轉(zhuǎn)移,加工處理,切割封裝到包裝,要經(jīng)過大量工序和很多工人,接觸到帶電環(huán)境次數(shù)很多且復(fù) 雜多樣,接觸到的靜電帶電和靜電放電的機(jī)會(huì)很多。

   圖6-38和圖⒍39顯示了GaN材料在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生位錯(cuò)的機(jī)制。

   圖⒍38 G犭N材料與藍(lán)寶石襯底材料的晶格不匹配產(chǎn)生了應(yīng)力

圖6-38表示的是由于G扒材料與藍(lán)寶石襯底晶格不匹配,結(jié)果在生長(zhǎng)過程中產(chǎn)生很大的應(yīng)力;當(dāng)應(yīng)力通路晶格常數(shù)的改變得到釋放時(shí),就會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)(dis1ocatiOn),這種由晶格不匹配產(chǎn)生的位錯(cuò)可以在GaN晶體中延伸很長(zhǎng),甚至延伸到表面,形成V形位錯(cuò),如圖⒍39所示。圖中未表示出來的就是在生長(zhǎng)過程中,某些外延層,如多量子阱(MQW)生長(zhǎng)溫度過低,原子遷移率過低,也會(huì)在局部外延層產(chǎn)生大量的位錯(cuò)。這些位錯(cuò)都容易成為靜電放電中的漏電通道。由于靜電放電擊穿GaN基LED的放電過程很短,很難去監(jiān)測(cè)擊穿過程的發(fā)生,更難以捕捉擊穿的細(xì)節(jié)和機(jī)制,因此只能通過不同擊穿電壓和擊穿電流的擊穿效果來對(duì)擊穿過程做出推斷。