雙極型晶體管芯片制造的主要工藝流程可知,用9個(gè)主要單項(xiàng)工藝步驟就能完成晶體管管芯的制造。NAT9914BPD只要縮小每個(gè)管芯尺寸,增大硅片面積,不需要增加工藝步驟,完成一次工藝流程制造出的管芯就可以從兒十、幾百個(gè)增加到成千上萬(wàn),甚至~L億個(gè)。而且,在一個(gè)晶片上的管芯是在完全相同工藝條件下制造出來(lái)的,性能一致性好。

   對(duì)集成電路芯片而言,也可以通過(guò)縮小各單元元件尺寸、增大硅片面積,一次工藝循環(huán)就能在一個(gè)硅片上制造出成百上千甚至上萬(wàn)個(gè)電路芯片。集成電路各單元元件之間的電連接也是在同一工藝

循環(huán)中完成的,在一個(gè)芯片上就實(shí)現(xiàn)了某種電路功能,相對(duì)于用多分立元器件搭建的電路,元件之間問(wèn)距小,沒(méi)有外部電連接,受環(huán)境影響小.有更高的穩(wěn)定性和可靠性。

   隨著集成電路產(chǎn)品的特征尺寸的減小,光刻置藝獲得的橫向最小尺寸已發(fā)展到納米量級(jí),摻雜、薄膜淀積所獲得的縱向最小尺寸在十幾納米量級(jí),而工藝精度更在此之上。因此,集成電路工藝是高可靠、高精度、低成本、適合批量化大生產(chǎn)的加工I藝。

   由于集成電路I藝在微細(xì)加工方面具有適合批量化、低成本、高可靠、高精度的優(yōu)勢(shì),它在多個(gè)領(lǐng)域被廣泛采用。微機(jī)電系統(tǒng)(Miclcl Electro Mec隔rllcal Systcms,MEMS)就是在集成電路工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的多學(xué)科交叉科技領(lǐng)域之一。采用集成電路工藝及硅、非硅微加I技術(shù),將微傳感器、微執(zhí)行器、控制電路等集成在芯片上構(gòu)成了微機(jī)電系統(tǒng)。

   集成電路工藝中的一些關(guān)鍵單項(xiàng)工藝(如光刻、化學(xué)氣相淀積、分子束外延等)也是納米技術(shù)中由上至下加I技術(shù)的重要內(nèi)容,納米技術(shù)中的一些關(guān)鍵技術(shù)是在集成電路工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,如軟光刻技術(shù)就是在光刻I藝中發(fā)展起來(lái)的。因此,集成電路工藝是MEMS和納米技術(shù)的基礎(chǔ),對(duì)它們的誕生和發(fā)展起到了推動(dòng)作用。