帶有多個(gè)電荷的空位濃度也類(lèi)似,正比于電子濃度對(duì)本征載流子濃度之比的若干次冪,冪次和GAL16V8D-15LPN電荷數(shù)相等,例如,-2價(jià)空位濃度為:

   空位缺陷叉稱(chēng)為肖特基(s山ottky)缺陷,在集成電路丁藝中很重要。例如,擴(kuò)散和氧化工藝動(dòng)力學(xué)中,許多雜質(zhì)的擴(kuò)散依賴(lài)于空位濃度。

   雜質(zhì)缺陷是非本征點(diǎn)缺陷,是指硅晶體中的外來(lái)原子。在晶體生長(zhǎng)、加工和產(chǎn)品制造工藝過(guò)程中,不可避免要沾污一些雜質(zhì);而有些雜質(zhì)又是在集成電路工藝中有意摻入的。雜質(zhì)中,填隙雜質(zhì)在集成電路工藝中是要盡量避免的,這些雜質(zhì)破壞了晶格的完整性,引起晶格點(diǎn)陣的畸變,但對(duì)半導(dǎo)體晶體的電學(xué)性質(zhì)影響不大;而替位雜質(zhì)通常是在集成電路I藝中有意摻入的雜質(zhì)。例如,硅晶體中摻人ⅢA、ⅤA族替位雜質(zhì),目的是調(diào)節(jié)硅晶體的電導(dǎo)率;摻入貴金屬Au等,日的是在硅晶體中添加載流子復(fù)合中心,縮短載流子壽命。