二氧化硅薄膜在現(xiàn)代硅基微電子芯片制造中起著十分關(guān)鍵的作用。二氧化硅能阻擋硼、磷等雜KA5L0380RYDTU質(zhì)向硅中擴(kuò)散,將這一性質(zhì)和光刻技術(shù)結(jié)合可實(shí)現(xiàn)制造硅芯片的平面工藝。二氧化硅在微電子工藝中有著極為重要的作用,主要體現(xiàn)在以下4個(gè)方面:

   ①作為掩膜。在單晶硅定域摻雜時(shí)作為掩膜,“緒論”中提到的擴(kuò)散摻雜就是按⒊o2掩膜圖形進(jìn)行的。

   ②作為芯片的鈍化和保護(hù)膜。在芯片的表面,淀積一層⒏o2可以保護(hù)器件或電路,使之免于沾污,特別是pn結(jié)的表面,沾污將使器件單向?qū)щ娞匦宰儔?另外⒊O2化學(xué)穩(wěn)定性好,可使器件表面鈍化,避免化學(xué)腐蝕。

   ③作為電隔離膜。SiO2介電性質(zhì)良好,集成電路元件之間的介質(zhì)隔離或者多層布線(xiàn)作為之間電隔離多采用⒏O2薄膜。

   ④作為元器件的組成部分。做MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的絕緣柵材料,作為電壓控制型器件,柵極(控制極)下面是一層高致密的s02薄層。只有高致密,才能保證柵極和⒏O2下方的硅片表面間有足夠的絕緣強(qiáng)度;只有薄,才能保證控制靈敏度。生產(chǎn)中對(duì)柵氧化層的質(zhì)量和厚度的要求十分嚴(yán)格。