離子注入是將雜質(zhì)離子直接射入硅襯底,是非熱力學(xué)平衡過(guò)程,摻雜濃度和分布易于控制,雜質(zhì)KA3361CDTF濃度不受固溶度限制,摻雜濃度的范圍廣。但摻雜后必須通過(guò)退火來(lái)激活雜質(zhì)和消除雜質(zhì)人射對(duì)襯底晶格造成的損傷,退火溫度通常在800℃以上。離子注入工藝適合淺結(jié)摻雜和對(duì)濃度及分布要求較高場(chǎng)合的摻雜。當(dāng)前在集成電路芯片制造中,通常是離子注入與擴(kuò)散兩種工藝混合使用進(jìn)行摻雜,即采用離子注人將定量雜質(zhì)射入襯底硅表面,再通過(guò)擴(kuò)散將雜質(zhì)推入襯底內(nèi)部,形成所需分布。

   氧化、擴(kuò)散是高溫工藝,而離子注人的退火也須在高溫進(jìn)行,并且這=項(xiàng)工藝都是對(duì)硅本體的加丁,襯底硅也參與其中,因此,本單元是介紹硅參與的高溫工藝。在高溫I藝中硅襯底性質(zhì),如晶格完整性、晶向等都對(duì)工藝有影響。高溫工藝會(huì)帶來(lái)襯底硅中雜質(zhì)的再分布現(xiàn)象,在芯片制造后期采用該工藝會(huì)對(duì)性能帶來(lái)影響,且考慮到能耗等問(wèn)題,降低工藝溫度長(zhǎng)期以來(lái)都是高溫工藝的發(fā)展方向,而快速熱處理技術(shù)(如快速退火)正是在此基礎(chǔ)上出現(xiàn)并不斷發(fā)展完善起來(lái)的。