熱氧化工藝是一種在硅片表面上生長(zhǎng)二氧化硅薄膜的手段。熱氧化層與硅之問(wèn)完美的界面特性是成就硅時(shí)代的主要原因。KA3361D本章將在介紹二氧化硅基本性質(zhì)的基礎(chǔ)上,討論二氧化硅薄膜的熱氧化生長(zhǎng)工藝和技術(shù)。

   二氧化硅薄膜概述

   硅表面總是覆蓋著一層工氧化硅膜,即使剛剛解理的硅也是如此。在空氣中一旦暴露,立即就生長(zhǎng)出幾個(gè)原子層的氧化膜,厚度為15~~9l^A,然后逐漸增長(zhǎng)至40A左右停止,它具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和電絕緣性。二氧化硅薄膜具有與硅的良好親和性、穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì)、良好的可加I性,以及對(duì)摻雜雜質(zhì)的掩蔽能力,在集成電路工藝中占有重要地位。