雜質(zhì)源為氣態(tài)(如BCL、戥H6、PH3、AsH3等),稀釋后揮發(fā)進(jìn)人擴散系統(tǒng)的擴散摻雜過程稱為氣態(tài)源擴散, R1240N001B-TR-F氣態(tài)源擴散系統(tǒng)如圖517所示。

   進(jìn)人擴散爐管內(nèi)的氣體,除了氣態(tài)雜質(zhì)源外,有時還須通人稀釋氣體,或者是氣態(tài)雜質(zhì)源進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)所需要的氣體。氣態(tài)雜質(zhì)源一般先在硅表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成摻雜氧化層,雜質(zhì)再由氧化層向硅中擴散。對氣態(tài)源擴散來說,雖然可以通過調(diào)節(jié)各氣體流量來控制表面的雜質(zhì)濃度,但實際上由于雜質(zhì)總是過量的,所以調(diào)節(jié)各路流量來控制表面濃度是不靈敏的。氣態(tài)雜質(zhì)源多為雜質(zhì)的氫化物或者鹵化物,這些氣體的毒性很大,而且易燃易爆,操作上要十分小心,實際生產(chǎn)中很少采用。