由表61可見,隨著注人離子能量的增加,不但分布朝離開表面的深度方向移動(dòng),并且橫PG905C4向擴(kuò)展逐漸變大;在注人能量相同的情況下,質(zhì)量輕的離子,橫向分布的擴(kuò)展大于縱向的擴(kuò)展,隨著離子質(zhì)量的增加,情況逐漸向相反方向變化。AR⊥小于RP的一半,如果用RP和ΔR~分別粗略地表示離子注入的結(jié)深和橫向擴(kuò)展的大小,則與熱擴(kuò)散法摻雜時(shí)雜質(zhì)的橫向擴(kuò)展線度接近結(jié)深相比,采用離子注入技術(shù)摻雜,雜質(zhì)的橫向擴(kuò)展要小得多。

   如圖611所示是雜質(zhì)注人到硅靶中的等濃度曲線,其中,圖611(a)所示是幾種主要雜質(zhì),通過1um寬掩膜窗口以70keV能量注人到硅靶中的等濃度曲線;圖611(b)為通過同樣窗口,以不同能量注入硅靶中的磷離子的0.1%等濃度曲線。

   圖612 注人無定形硅靶中的硼、磷和砷的巫p、齟與人射能量的關(guān)系

   橫向效應(yīng)直接影響了MOS晶體管的有效溝道長(zhǎng)度。對(duì)于掩膜邊緣的雜質(zhì)分布,以及離子通過一窄窗口注人,而注人深度又同窗口的寬度差不多時(shí),橫向效應(yīng)的影響更為重要。

   由以上討論可以看到,在非晶靶情形,射程分布取決于人射離子的能量、質(zhì)量和原子序數(shù),靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)和原子密度,注入離子的總劑量以及下面將要說明的注人期間靶的溫度。對(duì)于單晶靶,射程分布還依賴于晶體的取向。