影響濺射率的因素主要有:①人射離子。包括入射離子的能量、入射角、L78L05ACZ靶原子質(zhì)量與人射離子質(zhì)量之比、人射離子種類等。②靶。包括靶原子的原子序數(shù)、靶表面原子的結(jié)合狀態(tài)、結(jié)晶取向,以及靶材是純金屬、合金或化合物等。③溫度。一般認(rèn)為在和升華能密切相關(guān)的某一溫度內(nèi),濺射率幾乎不隨溫度變化而變化,當(dāng)溫度超過(guò)這一范圍時(shí),濺射率有迅速增加的趨向。此外,根據(jù)物質(zhì)的微觀理論,當(dāng)氣體正離子撞擊靶時(shí),除了濺射原子之外,靶上還會(huì)有其他粒子的發(fā)射,并產(chǎn)生輻射。所有這一切過(guò)程都會(huì)影響薄膜的性質(zhì)。

   如圖819所示是氬等離子體中不同種類靶材的濺射率與垂直人射氬離子能量的關(guān)系曲線。對(duì)于每一種靶材,都存在一個(gè)能量閾值,低于此閾值,不會(huì)發(fā)生濺射。典型的閾值能量在10~30eV范圍內(nèi)。能量略大于閾值時(shí),濺射率隨能量的平方增加,直到100eV左右;此后,濺射率隨能量線性增加,至750eV左右;750eV以上,濺射率只是略有增加。最大濺射率一般在1keV左右。再增大能量將發(fā)生離子注人。