濺射率與入射離子種類的關(guān)系,總的來說是隨著離子質(zhì)量增加而增大的。圖⒏⒛所示是濺射率與轟擊離子的原子序數(shù)的關(guān)系曲線。 L78L08ACD13TR由曲線可知,對于填滿或接近填滿價電子殼層的轟擊離子,濺射率大。惰性氣體離子,如Ar、Kr和Xe有較大的濺射率。在濺射工藝中通常選Ar為工作氣體,另一個原囚是惰性氣體離子可以避免與靶材起化學(xué)反應(yīng)。

    圖⒏20 濺射率與轟擊離子的原子序數(shù)的關(guān)系曲線(能量為45keV)入射離子在轟擊靶時的人射角對濺射率也有影響。人射角是指離子入射方向與靶表面法線之間的夾角。在低離子能量情況下,隨著人射角的增加,濺射率以V∞弱規(guī)律增加,即傾斜人射有利于提高濺射率,當(dāng)入射角接近80°時,濺射率迅速下降。濺射率對人射角的依賴性與靶材也密切相關(guān)。如金、鉑和銅等高濺射率的靶材一般與人射角關(guān)系不大,而Ta和Mo等低濺射率的靶材與人射角有明顯關(guān)系。